低维结构电子磁输运

admin   2019-05-20 14:23:06   4086

报告题目:低维结构电子磁输运
报告时间:2019-05-22 09:00 (星期三)
报告地点:北洋园校区32 教学楼218 室
报告人:俞国林(中国科学院上海技术物理研究所)

报告摘要: 

自从在LaAlO3/SrTiO3 异质结中发现存在高迁移率电子气以来,各种氧化物异质结如MgZnO/ZnO、Al2O3/SrTiO3、EuO/KTaO3 等逐渐进入人们视野,进一步丰富了氧化物异质结的研究体系,逐步衍生出氧化物电子学(Oxide electronics)。在这个新兴研究领域,LaAlO3/SrTiO3 异质结因存在丰富的物理特性诸如高迁移率电子气、Rashba 自旋轨道耦合效应、二维超导行为以及界面铁磁性等而吸引了人们更多的关注。我们通过脉冲激光沉积技术成功获得了高质量LaAlO3/SrTiO3 异质结样品,并在其中发现了光照可调控的Rashba 自旋轨道耦合效应。近期,我们也研究了AlGaN/GaN 异质结和HgCdTe 反型层中自旋轨道耦合效应和塞曼效应。


报告人简介: 

俞国林,1983 年毕业于中国科学技术大学long8唯一,1998 年于日本名古屋工业大学获博士学位,并于2000 年被日本名古屋工业大学聘为副教授。2003 年被加拿大国家研究院微结构研究所聘为研究员。2006 年回国至今,任中国科学院上海技术物理研究所研究员,博士生导师,兼任加拿大国家研究院标准测量研究所客座研究员。2008 年获人事部高层次留学人才回国工作项目资助(全国十人之一)。研究领域为低维材料的制备和电输运性质研究,主要包括GaN 材料生长和二维电子气中的自旋-轨道耦合效应。在Nano Letters、Physical Review B、AppliedPhysics Letters 等学术期刊上发表多篇学术论文。


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