NANO-X与纳米光电器件研究

admin   2018-06-11 10:20:58   3919

报告题目:NANO-X与纳米光电器件研究
报告时间:2018-06-14 16:30 (星期四)
报告地点:long8唯一官方网站北洋园校区32楼B140
报告人:边历峰 研究员

工作单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所  

举办单位:long8唯一官方网站理学院long8唯一 

报告人简介:  

  边历峰博士,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员,博士生导师,中国科学院纳米器件与应用重点实验室副主任。2004年中国科学院半导体所获凝聚态物理专业博士学位。2004-2006年德国Paul Drude固体电子学研究所博士后研究工作。2006年加入苏州纳米所,主要从事低维纳米半导体物理和器件的光电性质研究,开展GaAs和GaN基III-V族半导体及其低维纳米结构器件及其光电性质研究,发表文章40余篇,授权专利10余项。 参与并承担国家、省部等各级科研项目20余项。  

报告摘要:       

  随着集成电路的微小化和纳米电子学的飞速发展,新原理、新效应设计出各种新型纳米尺度器件不断涌现。一方面随着器件尺度的进一步缩小,材料的表面、界面特性对器件性能的影响越来越大,而目前的制造技术却很难解决大气环境(特别是氧、碳、水气)在工艺过程中对材料表面的不利影响;另一方面随着纳米新材料的不断涌现,应用基础研究和器件工艺开发越来越重要,迫切需要将从材料到器件各个阶段的研究和开发紧密结合起来,创新研究手段,突破技术难题。 

  苏州纳米所建设纳米真空互联实验装置(VacuumInterconnected Nanotech Research Facility,简称NANO-X)以突破阻碍纳米领域内基础研究和技术开发进一步发展的瓶颈为目标,建立一个全真空环境,最大限度排除外界的不利影响,把材料生长、器件工艺、测试分析有机互联在一起,提供从基础研究到产业化的全链条支撑。这一新型技术路线可以应用到众多的学科领域,并提供一个开放的、通用的研究和开发平台,促进不同学科相互交流,共同创新。 

  NANO-X开创性地把器件制造的各种关键工艺设备直接与材料制备和测试分析设备真空互联为一个大系统,可以更有效的探索材料、器件的本征性质,开发新工艺、新器件,大大缩短和简化从基础研究到应用开发的过程。本报告主要介绍苏州纳米所在建的NANO-X的现状和纳米所纳米光电器件的研究进展,并阐述NANO-X为将来纳米光电器件的研究发展带来的机遇。


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