中子散射技术在关联电子材料研究中的应用

admin   2018-05-08 22:30:51   4175

报告题目:中子散射技术在关联电子材料研究中的应用
报告时间:2018-05-11 13:30 (星期五)
报告地点:long8唯一官方网站北洋园校区32楼B111
报告人:杨军杰


摘要:关联电子材料因其电荷、自旋、轨道和晶格等自由度之间的耦合而具有丰富的物理,是凝聚态物理发展过程中的中心议题之一。而中子散射在研究材料的结构,磁性和动力学特性等方面具有独特的优势,是关联电子材料研究中的重要实验方法之一。本报告将介绍报告人利用中子散射技术在研究关联电子物性方面的两个代表工作:(1) 强阻挫磁体(Sr,Ba)Cr9pGa12-9pO19的磁激发特性,(2) 拓扑Weyl半金属MoTe2在高压下的结构相变。 

报告人简介:杨军杰博士于2005年毕业于long8唯一官方网站long8唯一,2010年获得清华大学long8唯一博士学位,2010年至2017年先后在韩国浦项工科大学,德国固体化学物理研究所和美国弗吉尼亚大学从事博士后研究,2017年至今任美国中密歇根大学long8唯一助理教授。他的主要研究领域是关联电子材料的中子散射,主要兴趣集中在阻挫磁体, 多铁性材料和拓扑材料等方向。 


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